用于晶体管的栅极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780087753.2

申请日：

2017-03-31

公开(公告)号：

CN110383490B

公开(公告)日：

2025-05-27

发明(设计)人：

V·H·勒 A·A·夏尔马 R·皮拉里塞泰 G·W·杜威 S·希瓦拉曼 T·A·特罗尼克 S·加德纳 T·加尼

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D30/01 H10B12/00

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

邬少俊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-27	授权	授权

共 50 条

[1]

用于晶体管的栅极 [P].

V·H·勒 ;

A·A·夏尔马 ;

R·皮拉里塞泰 ;

G·W·杜威 ;

S·希瓦拉曼 ;

T·A·特罗尼克 ;

S·加德纳 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN110383490A ,2019-10-25

[2]

晶体管器件和制备晶体管器件的栅极的方法 [P].

I·诺伊曼 ;

M·胡茨勒 ;

D·拉福雷特 ;

R·莫尼希 ;

R·西米尼克 .

中国专利 :CN113224146A ,2021-08-06

[3]

用于晶体管的栅极驱动电路 [P].

千田康隆 .

中国专利 :CN103944548B ,2014-07-23

[4]

晶体管栅极及其形成方法 [P].

李欣怡 ;

陈智城 ;

洪正隆 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113345893B ,2025-05-06

[5]

晶体管栅极及形成方法 [P].

李欣怡 ;

洪正隆 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113206083B ,2024-12-27

[6]

晶体管栅极及形成方法 [P].

李欣怡 ;

洪正隆 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113206083A ,2021-08-03

[7]

晶体管栅极及其形成方法 [P].

李欣怡 ;

陈智城 ;

洪正隆 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113345893A ,2021-09-03

[8]

用于场效应晶体管的控制栅极结构 [P].

刘海涛 ;

C·穆利 .

中国专利 :CN114651334A ,2022-06-21

[9]

用于栅极凹进晶体管的III-N材料结构 [P].

H·W·田 ;

M·拉多萨夫列维奇 ;

U·沙阿 ;

N·慕克吉 ;

R·皮拉里塞泰 ;

B·舒-金 ;

J·卡瓦列罗斯 ;

R·周 .

中国专利 :CN104011867A ,2014-08-27

[10]

多重栅极晶体管 [P].

杨育佳 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2751447Y ,2006-01-11

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