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用于场效应晶体管的控制栅极结构

被引：0
申请号：
CN202080077806.4
申请日：
2020-10-15
公开(公告)号：
CN114651334A
公开(公告)日：
2022-06-21
发明(设计)人：
刘海涛 C·穆利
申请人：
申请人地址：
美国爱达荷州
IPC主分类号：
H01L2949
IPC分类号：
H01L2128 H01L2711524 H01L271157
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
王龙
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-08 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/49 申请日:20201015
2022-06-21 公开 公开
共 50 条
[1]
包括沟槽栅极结构的场效应晶体管 [P]. 
A·迈泽 ;
T·施洛瑟 ;
C·D·阮 .
德国专利 :CN121099656A ,2025-12-09
[2]
双栅极场效应晶体管和生产双栅极场效应晶体管的方法 [P]. 
D·M·德里兀 ;
P·A·范哈尔 ;
G·T·霍夫特 .
中国专利 :CN102203974A ,2011-09-28
[3]
用于场效应晶体管的栅极电极以及场效应晶体管 [P]. 
林秉顺 ;
李达元 ;
许光源 .
中国专利 :CN102104061A ,2011-06-22
[4]
垂直场效应晶体管结构和垂直场效应晶体管结构制造方法 [P]. 
J·巴林豪斯 .
德国专利 :CN120166748A ,2025-06-17
[5]
屏蔽栅极场效应晶体管 [P]. 
P·A·布尔克 ;
D·E·普罗布斯特 ;
S·J·霍赛 .
中国专利 :CN208767305U ,2019-04-19
[6]
场效应晶体管的制作方法、场效应晶体管及栅极结构 [P]. 
张焕云 ;
吴健 .
中国专利 :CN111384160A ,2020-07-07
[7]
栅极制造方法、场效应晶体管形成方法及场效应晶体管 [P]. 
方楷 ;
邓建宁 ;
何亮亮 ;
蒋博翰 ;
陶颖卿 .
中国专利 :CN109950147A ,2019-06-28
[8]
用于场效应晶体管的ESD防护结构以及场效应晶体管 [P]. 
李东镁 ;
张薇 ;
邢康伟 ;
刘刚 .
中国专利 :CN213184285U ,2021-05-11
[9]
垂直场效应晶体管结构和用于制造垂直场效应晶体管结构的方法 [P]. 
D·克雷布斯 .
德国专利 :CN118299418A ,2024-07-05
[10]
用于场效应晶体管的电极结构 [P]. 
J·R·拉罗什 ;
K·P·叶 ;
T·E·卡齐奥 ;
K·T·阿拉维 .
中国专利 :CN110998860A ,2020-04-10
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