增强型氮化镓p型场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510163626.2

申请日：

2025-02-14

公开(公告)号：

CN120018538A

公开(公告)日：

2025-05-16

发明(设计)人：

于洪宇马晓伟汪青卢宏浩陶文川王子扬文康尧王沛然

申请人：

南方科技大学

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D64/27 H10D64/01

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

唐志勇

法律状态：

公开

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-16	公开	公开
2025-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250214

共 50 条

[1]

一种增强型p沟道氮化镓场效应晶体管及其制备方法 [P].

张苇杭 ;

刘茜 ;

吴银河 ;

冯欣 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN118213404B ,2025-10-03

[2]

一种增强型p沟道氮化镓场效应晶体管及其制备方法 [P].

张苇杭 ;

刘茜 ;

吴银河 ;

冯欣 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN118213404A ,2024-06-18

[3]

一种增强型氮化镓场效应晶体管及其制备方法 [P].

杜江锋 ;

赵亚鹏 ;

胡津玮 ;

欧阳梓沅 .

中国专利 :CN118610248A ,2024-09-06

[4]

增强型场效应晶体管 [P].

王元刚 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

宋旭波 ;

谭鑫 ;

周幸叶 ;

房玉龙 ;

尹甲运 .

中国专利 :CN110676316A ,2020-01-10

[5]

增强型GaN场效应晶体管及其制造方法 [P].

郭艳敏 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

李佳 ;

王波 ;

张志荣 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

王元刚 ;

冯志红 ;

卜爱民 ;

许春良 .

中国专利 :CN110459472B ,2019-11-15

[6]

氮化镓场效应晶体管及其制造方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230628A ,2017-10-03

[7]

氮化镓场效应晶体管 [P].

A·M·海尔德 ;

J·约翰 .

中国专利 :CN105164810A ,2015-12-16

[8]

增强型异质结场效应晶体管 [P].

王元刚 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

谭鑫 ;

周幸叶 ;

宋旭波 ;

房玉龙 ;

张志荣 ;

郭艳敏 .

中国专利 :CN110600548A ,2019-12-20

[9]

常关型场效应晶体管及其制备方法 [P].

孙海定 ;

龙世兵 ;

刘明 .

中国专利 :CN110534557B ,2019-12-03

[10]

一种氮化镓P型沟道场效应晶体管 [P].

王成财 ;

蓝泽龙 ;

贺致远 .

中国专利 :CN121152295A ,2025-12-16

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