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减少背照式图像传感器暗电流的方法及背照式图像传感器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911347538.9
申请日
:
2019-12-24
公开(公告)号
:
CN111048541B
公开(公告)日
:
2025-05-30
发明(设计)人
:
赵立新
黄琨
李杰
付文
申请人
:
格科微电子(上海)有限公司
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层
IPC主分类号
:
H10F39/18
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
上海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-05-30
授权
授权
共 50 条
[1]
减少背照式图像传感器暗电流的方法及背照式图像传感器
[P].
赵立新
论文数:
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赵立新
;
黄琨
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黄琨
;
李杰
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李杰
;
付文
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付文
.
中国专利
:CN111048541A
,2020-04-21
[2]
减少背照式图像传感器暗电流的方法
[P].
张连谦
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张连谦
;
李志伟
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李志伟
;
黄仁德
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黄仁德
;
孟俊生
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孟俊生
.
中国专利
:CN108666333A
,2018-10-16
[3]
背照式图像传感器
[P].
赵立新
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赵立新
;
黄琨
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黄琨
;
李杰
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李杰
;
付文
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付文
.
中国专利
:CN211376643U
,2020-08-28
[4]
减少背照式图像传感器暗电流的方法及其传感器
[P].
吴罚
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吴罚
;
李志伟
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李志伟
;
黄文军
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黄文军
;
陈世杰
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陈世杰
;
李仁雄
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李仁雄
;
张斌
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张斌
.
中国专利
:CN112436026A
,2021-03-02
[5]
背照式图像传感器及降低背照式图像传感器暗电流的方法
[P].
李文强
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李文强
;
赵立新
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赵立新
;
李杰
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李杰
;
徐泽
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徐泽
.
中国专利
:CN103441133B
,2013-12-11
[6]
减小背照式图像传感器的暗电流
[P].
吕受书
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吕受书
;
黄薰莹
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黄薰莹
;
黄信荣
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黄信荣
;
邱俊贸
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邱俊贸
;
萧家棋
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萧家棋
;
张永承
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张永承
.
中国专利
:CN103137633A
,2013-06-05
[7]
背照式图像传感器的制备方法及背照式图像传感器
[P].
于海龙
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
于海龙
;
董信国
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
董信国
;
孟昭生
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
孟昭生
.
中国专利
:CN118658866A
,2024-09-17
[8]
背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
[P].
陈维邦
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
陈维邦
.
中国专利
:CN121152343A
,2025-12-16
[9]
背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
[P].
陈维邦
论文数:
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
陈维邦
.
中国专利
:CN119403257B
,2025-04-25
[10]
背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
[P].
陈维邦
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
陈维邦
.
中国专利
:CN121152344A
,2025-12-16
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