基于衬底偏置技术的高阶补偿低温度系数带隙基准电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510221778.3

申请日：

2025-02-27

公开(公告)号：

CN120122773A

公开(公告)日：

2025-06-10

发明(设计)人：

周泽坤王正熙林镇熙赖荣兴张波

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

G05F1/567

IPC分类号：

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/567申请日:20250227
2025-06-10	公开	公开

共 50 条

[1]

高阶温度补偿带隙基准电路 [P].

周前能 ;

徐兰 ;

庞宇 ;

林金朝 ;

李红娟 ;

李国权 ;

李章勇 ;

王伟 ;

冉鹏 .

中国专利 :CN105807838A ,2016-07-27

[2]

高阶温度补偿带隙基准电路 [P].

吴金 ;

王永寿 ;

郑丽霞 ;

赵霞 ;

姚建楠 .

中国专利 :CN101604175A ,2009-12-16

[3]

高阶温度补偿带隙基准电路 [P].

吴金 ;

王永寿 ;

郑丽霞 ;

赵霞 ;

姚建楠 .

中国专利 :CN201435019Y ,2010-03-31

[4]

基于混合模式高阶补偿的超低温度系数带隙基准电路 [P].

聂卫东 ;

吴金 ;

朱伟民 ;

李浩 ;

景苏鹏 ;

尹岱 ;

盛慧红 ;

渠宁 .

中国专利 :CN101881986A ,2010-11-10

[5]

一种基于高阶温度补偿的带隙基准电路 [P].

刘羽桐 ;

刘爽 ;

刘益安 ;

王俊杰 ;

刘洋 .

中国专利 :CN119937712A ,2025-05-06

[6]

一种基于高阶温度补偿的带隙基准电路 [P].

刘羽桐 ;

刘爽 ;

刘益安 ;

王俊杰 ;

刘洋 .

中国专利 :CN119937712B ,2025-12-05

[7]

具有高阶温度补偿的低温度系数带隙基准电压源 [P].

万美琳 ;

顾豪爽 .

中国专利 :CN105974991A ,2016-09-28

[8]

低温度系数带隙电压基准电路 [P].

王永寿 ;

萧经华 ;

郎君 ;

佘龙 .

中国专利 :CN102622032B ,2012-08-01

[9]

一种分段补偿低温度系数的带隙基准电路 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115562427A ,2023-01-03

[10]

CMOS亚阈高阶温度补偿带隙基准电路 [P].

吴金 ;

郑丽霞 ;

王永寿 ;

赵霞 ;

常昌远 .

中国专利 :CN101609344A ,2009-12-23

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