一种金属硅化物的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311736575.5
申请日
2023-12-14
公开(公告)号
CN120164792A
公开(公告)日
2025-06-17
发明(设计)人
黄建育
申请人
成都紫光半导体科技有限公司
申请人地址
611730 四川省成都市成都高新区尚雅路7号附1号1楼
IPC主分类号
H01L21/285
IPC分类号
H01L21/268
代理机构
北京英创嘉友知识产权代理有限公司 11447
代理人
王浩然
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
金属硅化物的制备方法 [P]. 
王媛 ;
张步新 .
中国专利 :CN101431019A ,2009-05-13
[2]
一种金属硅化物的制备方法 [P]. 
魏晓平 ;
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孟昭生 .
中国专利 :CN118222978A ,2024-06-21
[3]
金属硅化物薄膜的制备方法 [P]. 
许广勤 ;
刘运龙 .
中国专利 :CN101399203A ,2009-04-01
[4]
镍金属硅化物的制备方法 [P]. 
肖天金 ;
邱裕明 .
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[5]
金属硅化物的制备方法 [P]. 
陈华伦 ;
熊涛 ;
陈瑜 ;
罗啸 .
中国专利 :CN101442005A ,2009-05-27
[6]
金属硅化物的制备方法 [P]. 
刘莎莎 ;
闫家翔 ;
徐丰 ;
黄鹏 ;
王函 .
中国专利 :CN120936115A ,2025-11-11
[7]
制备金属硅化物的方法 [P]. 
刘焕新 .
中国专利 :CN102403211A ,2012-04-04
[8]
金属硅化物的制备方法 [P]. 
顾学强 ;
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陈力山 .
中国专利 :CN102176414A ,2011-09-07
[9]
形成金属硅化物的方法 [P]. 
杜安群 ;
黄振铭 .
中国专利 :CN1574249A ,2005-02-02
[10]
金属硅化物制造方法 [P]. 
罗军 ;
邓坚 ;
赵超 ;
钟汇才 ;
李俊峰 ;
陈大鹏 .
中国专利 :CN103377894A ,2013-10-30