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浅沟槽隔离结构及其制备方法和应用
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311742895.1
申请日：
2023-12-15
公开(公告)号：
CN120184085A
公开(公告)日：
2025-06-20
发明(设计)人：
王瑞江
申请人：
成都紫光半导体科技有限公司
申请人地址：
611730 四川省成都市成都高新区尚雅路7号附1号1楼
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
H10D62/10
H10F39/18
代理机构：
北京英创嘉友知识产权代理有限公司 11447
代理人：
王浩然
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-20 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20231215 |