共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
浅沟槽隔离结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811071286.7
申请日：
2018-09-14
公开(公告)号：
CN110911343B
公开(公告)日：
2024-09-13
发明(设计)人：
宛伟
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-09-13 | 授权 | 授权 |