浅沟槽隔离结构制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310530767.0

申请日：

2013-10-30

公开(公告)号：

CN103531522A

公开(公告)日：

2014-01-22

发明(设计)人：

江润峰

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;林彦之

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-17	授权	授权
2014-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101573737003 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2013105307670 申请日:20131030
2014-01-22	公开	公开

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离结构制备方法 [P].

江润峰 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN103531523A ,2014-01-22

[2]

浅沟槽隔离结构的制备方法 [P].

平延磊 ;

张炳一 ;

孟昭生 .

中国专利 :CN102087988A ,2011-06-08

[3]

浅沟槽隔离的制备方法 [P].

桑宁波 ;

雷通 ;

贺忻 ;

方精训 .

中国专利 :CN104051321A ,2014-09-17

[4]

浅沟槽隔离结构的制备方法 [P].

李泓博 ;

孙勤 .

中国专利 :CN110517984A ,2019-11-29

[5]

浅沟槽隔离结构的制备方法 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN115346912B ,2022-11-15

[6]

浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件 [P].

苏洋 ;

孙九龙 ;

刘欣 ;

康小磊 ;

李丹妮 .

中国专利 :CN117995754A ,2024-05-07

[7]

浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件 [P].

苏洋 ;

孙九龙 ;

刘欣 ;

康小磊 ;

李丹妮 .

中国专利 :CN117995754B ,2025-07-08

[8]

一种浅沟槽隔离结构的形成方法及浅沟槽隔离结构 [P].

乔振杰 ;

张志刚 .

中国专利 :CN108987333A ,2018-12-11

[9]

浅沟槽隔离结构及其制备方法 [P].

宛伟 .

中国专利 :CN110911343A ,2020-03-24

[10]

浅沟槽隔离结构及其制备方法 [P].

穆天蕾 .

中国专利 :CN110890313B ,2024-07-12

← 1 2 3 4 5 →