浅沟槽隔离结构制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310530791.4
申请日
2013-10-30
公开(公告)号
CN103531523A
公开(公告)日
2014-01-22
发明(设计)人
江润峰 戴树刚
申请人
申请人地址
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
代理机构
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275
代理人
吴世华;林彦之
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
浅沟槽隔离结构制备方法 [P]. 
江润峰 .
中国专利 :CN103531522A ,2014-01-22
[2]
浅沟槽隔离结构的制备方法 [P]. 
欧阳文森 ;
王胜林 .
中国专利 :CN115346912B ,2022-11-15
[3]
浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件 [P]. 
苏洋 ;
孙九龙 ;
刘欣 ;
康小磊 ;
李丹妮 .
中国专利 :CN117995754A ,2024-05-07
[4]
浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件 [P]. 
苏洋 ;
孙九龙 ;
刘欣 ;
康小磊 ;
李丹妮 .
中国专利 :CN117995754B ,2025-07-08
[5]
浅沟槽隔离结构及其制备方法 [P]. 
宛伟 .
中国专利 :CN110911343A ,2020-03-24
[6]
浅沟槽隔离结构及其制备方法 [P]. 
穆天蕾 .
中国专利 :CN110890313B ,2024-07-12
[7]
浅沟槽隔离结构及其制备方法 [P]. 
穆天蕾 .
中国专利 :CN110890313A ,2020-03-17
[8]
浅沟槽隔离结构的制备方法 [P]. 
平延磊 ;
张炳一 ;
孟昭生 .
中国专利 :CN102087988A ,2011-06-08
[9]
浅沟槽隔离结构及其制备方法 [P]. 
宛伟 .
中国专利 :CN110911343B ,2024-09-13
[10]
浅沟槽隔离结构 [P]. 
穆天蕾 .
中国专利 :CN209045527U ,2019-06-28