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浅沟槽隔离结构的制备方法

被引：0
申请号：
CN202211276822.3
申请日：
2022-10-19
公开(公告)号：
CN115346912B
公开(公告)日：
2022-11-15
发明(设计)人：
欧阳文森 王胜林
申请人：
申请人地址：
510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
H01L21311
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
卢炳琼
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2023-01-03 授权 授权
2022-12-02 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20221019
2022-11-15 公开 公开
共 50 条
[1]
浅沟槽隔离结构及其制备方法 [P]. 
穆天蕾 .
中国专利 :CN110890313B ,2024-07-12
[2]
浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件 [P]. 
苏洋 ;
孙九龙 ;
刘欣 ;
康小磊 ;
李丹妮 .
中国专利 :CN117995754A ,2024-05-07
[3]
浅沟槽隔离结构及其制备方法 [P]. 
穆天蕾 .
中国专利 :CN110890313A ,2020-03-17
[4]
浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件 [P]. 
苏洋 ;
孙九龙 ;
刘欣 ;
康小磊 ;
李丹妮 .
中国专利 :CN117995754B ,2025-07-08
[5]
浅沟槽隔离结构的制备方法 [P]. 
刘志坤 ;
施平 ;
陈应杰 .
中国专利 :CN105826191A ,2016-08-03
[6]
浅沟槽隔离结构制备方法 [P]. 
江润峰 .
中国专利 :CN103531522A ,2014-01-22
[7]
浅沟槽隔离结构制备方法 [P]. 
江润峰 ;
戴树刚 .
中国专利 :CN103531523A ,2014-01-22
[8]
浅沟槽隔离结构 [P]. 
穆天蕾 .
中国专利 :CN209045527U ,2019-06-28
[9]
浅沟槽隔离结构的制作方法 [P]. 
宋振伟 ;
徐友峰 ;
陈晋 .
中国专利 :CN103839868A ,2014-06-04
[10]
浅沟槽隔离结构的制造方法 [P]. 
郁赛华 ;
孙勤 .
中国专利 :CN110211916A ,2019-09-06
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