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纳米材料及其制备方法、光电器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311745289.5
申请日：
2023-12-15
公开(公告)号：
CN120158294A
公开(公告)日：
2025-06-17
发明(设计)人：
邓徐俊
申请人：
TCL科技集团股份有限公司 广东聚华新型显示研究院
申请人地址：
516000 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
IPC主分类号：
C09K11/02
IPC分类号：
C09K11/88 C09K11/56 C09K11/66 B82Y20/00 B82Y40/00 H10K50/115
代理机构：
深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570
代理人：
方艳丽
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-17 公开 公开
共 50 条
[1]
纳米材料及其制备方法、光电器件 [P]. 
周礼宽 ;
刘海坤 ;
庄佳庆 .
中国专利 :CN121046083A ,2025-12-02
[2]
纳米材料及制备方法、光电器件 [P]. 
江华 .
中国专利 :CN120230536A ,2025-07-01
[3]
一种纳米材料及其制备方法、光电器件 [P]. 
何斯纳 ;
吴龙佳 ;
吴劲衡 .
中国专利 :CN109980101B ,2019-07-05
[4]
电子传输材料及制备方法、光电器件及其制备方法 [P]. 
何斯纳 ;
吴龙佳 ;
吴劲衡 .
中国专利 :CN114335397A ,2022-04-12
[5]
电子传输材料及制备方法、光电器件 [P]. 
何斯纳 ;
吴龙佳 ;
吴劲衡 .
中国专利 :CN114335396A ,2022-04-12
[6]
钝化后的钙钛矿纳米材料及其制备方法、光电器件 [P]. 
赵维巍 ;
王浩然 .
中国专利 :CN114292645A ,2022-04-08
[7]
空穴传输材料及其制备方法、光电器件 [P]. 
吴劲衡 ;
何斯纳 ;
吴龙佳 .
中国专利 :CN114497398A ,2022-05-13
[8]
封装材料及其制备方法以及光电器件 [P]. 
李硕 ;
陈海力 ;
蒋雷 ;
于甄 .
中国专利 :CN107369730A ,2017-11-21
[9]
封装材料及其制备方法以及光电器件 [P]. 
李硕 ;
陈海力 ;
蒋雷 ;
于甄 .
中国专利 :CN107393986A ,2017-11-24
[10]
铌酸锂量子材料及其制备方法、光电器件 [P]. 
薛冬峰 ;
史国强 .
中国专利 :CN114540026A ,2022-05-27
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