硫化物系固体电解质的制造方法和硫化物系固体电解质的制造装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380076427.7
申请日
2023-10-27
公开(公告)号
CN120153435A
公开(公告)日
2025-06-13
发明(设计)人
大森则史 藤井直树
申请人
AGC株式会社
申请人地址
日本
IPC主分类号
H01B13/00
IPC分类号
C01B25/14 H01M10/0562
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
王洋
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
硫化物系固体电解质的制造方法和硫化物系固体电解质的制造装置 [P]. 
大森则史 .
日本专利 :CN120226098A ,2025-06-27
[2]
硫化物系固体电解质的制造方法和硫化物系固体电解质的制造装置 [P]. 
大森则史 ;
藤井直树 .
日本专利 :CN120153436A ,2025-06-13
[3]
硫化物系固体电解质的制造方法和制造装置 [P]. 
大森则史 .
日本专利 :CN119256374A ,2025-01-03
[4]
硫化物系固体电解质的制造方法 [P]. 
藤井直树 .
日本专利 :CN118575235A ,2024-08-30
[5]
硫化物系固体电解质的制造方法和制造装置 [P]. 
大森则史 ;
藤井直树 .
日本专利 :CN119317979A ,2025-01-14
[6]
硫化物系固体电解质 [P]. 
藤井直树 ;
北村陆 ;
三宅仁介 ;
稻叶槙子 .
日本专利 :CN118020188A ,2024-05-10
[7]
硫化物系固体电解质 [P]. 
小山莉央 ;
米泽谕 ;
国头正树 .
日本专利 :CN117543067A ,2024-02-09
[8]
硫化物系固体电解质的制造方法 [P]. 
大森则史 ;
藤井直树 .
日本专利 :CN118043917A ,2024-05-14
[9]
硫化物系固体电解质的制造方法 [P]. 
东诚二 ;
藤井直树 ;
关秀悦 ;
安藤良太 .
日本专利 :CN118613943A ,2024-09-06
[10]
硫化物系固体电解质的制造方法 [P]. 
伊藤智裕 .
日本专利 :CN113508089B ,2024-05-03