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硫化物系固体电解质的制造方法和硫化物系固体电解质的制造装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380080606.8
申请日：
2023-11-13
公开(公告)号：
CN120226098A
公开(公告)日：
2025-06-27
发明(设计)人：
大森则史
申请人：
AGC株式会社
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H01B13/00
IPC分类号：
C01B25/14 H01M10/052 H01M10/0562
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
王洋
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-27 公开 公开
2025-07-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01B 13/00申请日:20231113
共 50 条
[1]
硫化物系固体电解质的制造方法和硫化物系固体电解质的制造装置 [P]. 
大森则史 ;
藤井直树 .
日本专利 :CN120153435A ,2025-06-13
[2]
硫化物系固体电解质的制造方法和硫化物系固体电解质的制造装置 [P]. 
大森则史 ;
藤井直树 .
日本专利 :CN120153436A ,2025-06-13
[3]
硫化物系固体电解质的制造方法 [P]. 
大森则史 ;
藤井直树 .
日本专利 :CN118043917A ,2024-05-14
[4]
硫化物系固体电解质的制造方法 [P]. 
藤井直树 .
日本专利 :CN118575235A ,2024-08-30
[5]
硫化物系固体电解质粉末的制造方法 [P]. 
国狭康弘 ;
井上纯一 .
日本专利 :CN118020116A ,2024-05-10
[6]
硫化物系固体电解质 [P]. 
藤井直树 ;
北村陆 ;
三宅仁介 ;
稻叶槙子 .
日本专利 :CN118020188A ,2024-05-10
[7]
硫化物系固体电解质 [P]. 
小山莉央 ;
米泽谕 ;
国头正树 .
日本专利 :CN117543067A ,2024-02-09
[8]
硫化物系固体电解质的制造方法 [P]. 
东诚二 ;
藤井直树 ;
关秀悦 ;
安藤良太 .
日本专利 :CN118613943A ,2024-09-06
[9]
硫化物系固体电解质的制造方法 [P]. 
伊藤智裕 .
日本专利 :CN113508089B ,2024-05-03
[10]
硫化物系固体电解质的制造方法 [P]. 
伊藤智裕 .
中国专利 :CN113508089A ,2021-10-15
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