一种碳化硅晶体及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510326629.3

申请日：

2025-03-19

公开(公告)号：

CN120138806A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

方政马远潘尧波

申请人：

中电化合物半导体有限公司

申请人地址：

315336 浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路68号15号、16号楼

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B11/00

代理机构：

上海汉之律师事务所 31378

代理人：

胡雨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省宁波市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20250319
2025-12-19	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):C30B 29/36变更事项:申请人变更前:中电化合物半导体有限公司变更后:中天晶科（宁波）半导体材料有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:315336 浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路68号15号、16号楼变更后:315336 浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路68号15号、16号楼
2025-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳化硅晶体及其制备方法与应用 [P].

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN114975097B ,2024-02-23

[2]

高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法 [P].

彭同华 ;

王波 ;

赵宁 ;

娄艳芳 ;

郭钰 ;

张贺 ;

刘春俊 ;

杨建 .

中国专利 :CN113186601B ,2021-07-30

[3]

一种碳化硅晶体及其制备方法 [P].

陈豆 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN118407131A ,2024-07-30

[4]

碳化硅粉料的装料方法、碳化硅晶体及其制备方法和应用 [P].

张永伟 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN116516484B ,2024-02-20

[5]

碳化硅复合籽晶及其制备方法、碳化硅晶体 [P].

周国清 .

中国专利 :CN120401008A ,2025-08-01

[6]

碳化硅复合籽晶及其制备方法、碳化硅晶体 [P].

周国清 .

中国专利 :CN120401009A ,2025-08-01

[7]

碳化硅晶体制备方法和碳化硅晶体生长装置及其应用 [P].

翟虎 ;

孙金梅 .

中国专利 :CN117684269A ,2024-03-12

[8]

一种制备碳化硅晶体的方法及碳化硅晶体 [P].

王明华 ;

曾志鹏 .

中国专利 :CN117385467A ,2024-01-12

[9]

一种碳化硅晶体的制备方法及碳化硅晶体 [P].

方政 ;

马远 ;

潘尧波 ;

薛卫明 .

中国专利 :CN120485956A ,2025-08-15

[10]

一种制备碳化硅晶体的方法及碳化硅晶体 [P].

王明华 ;

曾志鹏 .

中国专利 :CN117385467B ,2024-02-13

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