半导体套刻图形及套刻精度测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510333114.6

申请日：

2025-03-19

公开(公告)号：

CN120178610A

公开(公告)日：

2025-06-20

发明(设计)人：

许俊益王珊珊仇峰

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

H01L23/544 H01L21/66 G01B11/00

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

杨明莉

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	公开	公开
2025-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20250319

共 50 条

[1]

套刻标记、半导体结构和套刻误差的测量方法 [P].

王松 ;

张阳 ;

李素素 .

中国专利 :CN119002183A ,2024-11-22

[2]

一种套刻精度测量方法及套刻精度测量系统 [P].

张哲炜 .

中国专利 :CN121165400A ,2025-12-19

[3]

套刻对准标记及套刻测量方法 [P].

周绍顺 .

中国专利 :CN104777723B ,2015-07-15

[4]

套刻误差测量方法及套刻标记 [P].

郭晓波 .

中国专利 :CN108628107A ,2018-10-09

[5]

半导体结构及其套刻误差测量方法 [P].

程浩 ;

刘道学 ;

赵平 ;

袁娜 .

中国专利 :CN120184149A ,2025-06-20

[6]

套刻测量装置和套刻测量方法 [P].

崔圣润 ;

金善均 .

韩国专利 :CN119105241A ,2024-12-10

[7]

套刻标记和套刻误差的测量方法 [P].

盛薄辉 .

中国专利 :CN114864549A ,2022-08-05

[8]

套刻对准标记和套刻误差测量方法 [P].

韦斌 ;

杨莹莹 ;

曾暐舜 .

中国专利 :CN112420674A ,2021-02-26

[9]

套刻标记及套刻误差的测量方法 [P].

陈鲁 ;

吕肃 ;

李青格乐 ;

江博闻 ;

张嵩 .

中国专利 :CN111508932A ,2020-08-07

[10]

套刻误差的测量方法及套刻标记 [P].

王俊雅 .

中国专利 :CN118099010A ,2024-05-28

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