中空二氧化硅粒子及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411779731.0

申请日：

2024-12-05

公开(公告)号：

CN120157138A

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

郭迎春孙守权李文杨原武

申请人：

浙江三时纪新材科技有限公司

申请人地址：

313000 浙江省湖州市敢山路1919号

IPC主分类号：

C01B33/18

IPC分类号：

B82Y40/00

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

李华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省湖州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/18申请日:20241205
2025-06-17	公开	公开

共 50 条

[1]

中空二氧化硅粒子及其制备方法 [P].

马修·大卫·巴茨 ;

萨拉·伊丽莎白·吉诺维斯 ;

保罗·伯切尔·格拉泽 ;

达里尔·斯蒂芬·威廉姆斯 .

中国专利 :CN101282907A ,2008-10-08

[2]

中空二氧化硅粒子 [P].

藤冈正成 ;

福田健太郎 .

日本专利 :CN120936573A ,2025-11-11

[3]

中空二氧化硅粒子及其制造方法 [P].

星田浩树 .

中国专利 :CN109071239A ,2018-12-21

[4]

二氧化硅粒子 [P].

西村仁希 ;

小野勇二 ;

芝崎将一 .

中国专利 :CN110461768B ,2019-11-15

[5]

中空二氧化硅粒子的分散液及其制造方法 [P].

林彰吾 ;

荒金宏忠 ;

村口良 .

日本专利 :CN118591507A ,2024-09-03

[6]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN118145659A ,2024-06-07

[7]

中空二氧化硅微球及其制备方法 [P].

苏宏久 ;

雒睿雯 ;

徐翰琦 ;

宋平 ;

杜辛 ;

杜全心 .

中国专利 :CN119612526A ,2025-03-14

[8]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN115210179B ,2024-03-29

[9]

中空二氧化硅微球及其制备方法 [P].

苏宏久 ;

雒睿雯 ;

李德翔 ;

徐翰琦 ;

揭辉 ;

陈伟琴 .

中国专利 :CN119612527A ,2025-03-14

[10]

中空二氧化硅纳米球及其制备方法 [P].

杜滨阳 ;

曹峥 ;

李镇冰 ;

梅爱雄 ;

张兴宏 ;

聂晶晶 ;

徐君庭 ;

范志强 .

中国专利 :CN101559950B ,2009-10-21

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