半导体装置及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110356993.6

申请日：

2021-04-01

公开(公告)号：

CN113270473B

公开(公告)日：

2025-06-24

发明(设计)人：

陈亭纲林宛娴王捷平黄泰钧徐志安

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/62 H10D30/01 H10D64/27 H10D84/85

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其形成方法 [P].

陈亭纲 ;

林宛娴 ;

王捷平 ;

黄泰钧 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113270473A ,2021-08-17

[2]

半导体装置及其形成方法 [P].

李香寰 ;

李明翰 ;

叶名世 ;

余振华 .

中国专利 :CN101521175A ,2009-09-02

[3]

半导体装置及其形成方法 [P].

郑咏世 .

中国专利 :CN120709230A ,2025-09-26

[4]

半导体装置及其形成方法 [P].

周英凯 ;

陈立哲 ;

刘兴潮 .

中国专利 :CN107437525B ,2017-12-05

[5]

半导体装置结构及其形成方法 [P].

陈瑞麟 ;

连崇德 ;

林诗哲 ;

黄志翔 ;

杨复凯 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN120500104A ,2025-08-15

[6]

半导体装置及其形成方法 [P].

陈柏安 .

中国专利 :CN120435054A ,2025-08-05

[7]

半导体装置及其形成方法 [P].

蔡易锜 .

中国专利 :CN120825932A ,2025-10-21

[8]

半导体装置的形成方法 [P].

林翔伟 .

中国专利 :CN109585296A ,2019-04-05

[9]

半导体装置的形成方法 [P].

陈婷婷 ;

何彩蓉 ;

葛宗翰 ;

郑雅如 ;

彭辞修 ;

王振翰 ;

梁顺鑫 ;

上野哲嗣 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN114823515A ,2022-07-29

[10]

半导体装置的形成方法 [P].

黄彦钧 ;

唐邦泰 ;

彭治棠 ;

黄泰钧 .

中国专利 :CN108987253A ,2018-12-11

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