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半导体装置及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410554756.4
申请日：
2024-05-07
公开(公告)号：
CN120825932A
公开(公告)日：
2025-10-21
发明(设计)人：
蔡易锜
申请人：
华邦电子股份有限公司
申请人地址：
中国台湾台中市
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
王天尧
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-21 公开 公开
2025-11-07 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20240507
共 50 条
[1]
半导体装置及其形成方法 [P]. 
陈柏安 .
中国专利 :CN120435054A ,2025-08-05
[2]
半导体装置及其形成方法 [P]. 
陈亭纲 ;
林宛娴 ;
王捷平 ;
黄泰钧 ;
徐志安 .
中国专利 :CN113270473B ,2025-06-24
[3]
半导体装置及其形成方法 [P]. 
陈亭纲 ;
林宛娴 ;
王捷平 ;
黄泰钧 ;
徐志安 .
中国专利 :CN113270473A ,2021-08-17
[4]
半导体装置及其形成方法 [P]. 
李香寰 ;
李明翰 ;
叶名世 ;
余振华 .
中国专利 :CN101521175A ,2009-09-02
[5]
半导体装置及其形成方法 [P]. 
张峰溢 ;
童宇诚 ;
李甫哲 .
中国专利 :CN110707005B ,2020-01-17
[6]
半导体装置及其形成方法 [P]. 
奥野泰利 ;
彭成毅 ;
方子韦 ;
张毅敏 ;
峰地辉 ;
林佑明 ;
萧孟轩 .
中国专利 :CN109326510B ,2019-02-12
[7]
半导体装置及其形成方法 [P]. 
魏宏谕 .
中国专利 :CN118742034A ,2024-10-01
[8]
半导体装置及其形成方法 [P]. 
李维中 .
中国专利 :CN117936512A ,2024-04-26
[9]
半导体装置及其形成方法 [P]. 
李新辉 ;
曾汉良 ;
林学荣 ;
李金政 .
中国专利 :CN112466894A ,2021-03-09
[10]
半导体装置及其形成方法 [P]. 
张宇行 ;
徐晨佑 ;
刘世昌 .
中国专利 :CN109994452A ,2019-07-09
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