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半导体结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311728460.1
申请日：
2023-12-14
公开(公告)号：
CN120164865A
公开(公告)日：
2025-06-17
发明(设计)人：
吴双双
王春阳
陈小龙
徐玉婷
章慧
付友
李宗翰
申请人：
长鑫科技集团股份有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L23/488
IPC分类号：
H01L21/60
H01L23/482
H01L23/485
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-17 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/488申请日:20231214 |