半导体结构形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011429562.X

申请日：

2020-12-09

公开(公告)号：

CN114613675B

公开(公告)日：

2025-06-24

发明(设计)人：

崔明

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/66 H10D62/17

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构形成方法 [P].

崔明 .

中国专利 :CN114613675A ,2022-06-10

[2]

半导体结构形成方法 [P].

卢仁祥 ;

蔡宗翰 ;

张世勳 .

中国专利 :CN110610989A ,2019-12-24

[3]

半导体结构形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655252B ,2016-06-08

[4]

半导体结构形成方法及半导体结构 [P].

卢仁祥 ;

蔡宗翰 ;

张世勳 .

中国专利 :CN110610989B ,2024-10-29

[5]

半导体结构形成方法 [P].

刘中元 ;

赵鹏 ;

马孝田 .

中国专利 :CN111725068A ,2020-09-29

[6]

半导体结构形成方法 [P].

刘中元 ;

赵鹏 ;

马孝田 .

中国专利 :CN111725068B ,2024-06-18

[7]

半导体结构形成方法 [P].

林宗德 ;

彭琬婷 ;

黄仁德 .

中国专利 :CN108281355A ,2018-07-13

[8]

半导体结构形成方法 [P].

沈思杰 ;

刘宪周 ;

苟鸿雁 .

中国专利 :CN102723278B ,2012-10-10

[9]

半导体结构形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN105632908B ,2016-06-01

[10]

半导体结构形成方法 [P].

宁先捷 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN104576539A ,2015-04-29

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