半导体结构形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410627923.X

申请日：

2014-11-10

公开(公告)号：

CN105655252B

公开(公告)日：

2016-06-08

发明(设计)人：

何永根

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669300810 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201410627923X 申请日:20141110
2019-01-22	授权	授权
2016-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN105632908B ,2016-06-01

[2]

半导体结构形成方法 [P].

刘中元 ;

赵鹏 ;

马孝田 .

中国专利 :CN111725068A ,2020-09-29

[3]

半导体结构形成方法 [P].

崔明 .

中国专利 :CN114613675A ,2022-06-10

[4]

半导体结构形成方法 [P].

卢仁祥 ;

蔡宗翰 ;

张世勳 .

中国专利 :CN110610989A ,2019-12-24

[5]

半导体结构形成方法 [P].

刘中元 ;

赵鹏 ;

马孝田 .

中国专利 :CN111725068B ,2024-06-18

[6]

半导体结构形成方法 [P].

沈思杰 ;

刘宪周 ;

苟鸿雁 .

中国专利 :CN102723278B ,2012-10-10

[7]

半导体结构形成方法 [P].

崔明 .

中国专利 :CN114613675B ,2025-06-24

[8]

半导体结构形成方法 [P].

宁先捷 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN104576539A ,2015-04-29

[9]

半导体结构形成方法 [P].

贾照伟 ;

王坚 ;

王晖 .

中国专利 :CN104637862A ,2015-05-20

[10]

半导体结构形成方法 [P].

浦栋 ;

惠利省 ;

杨国文 .

中国专利 :CN112992660B ,2021-06-18

← 1 2 3 4 5 →