半导体结构形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310566058.8

申请日：

2013-11-14

公开(公告)号：

CN104637862A

公开(公告)日：

2015-05-20

发明(设计)人：

贾照伟王坚王晖

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国上海张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆嘉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691958656 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013105660588 申请日:20131114
2019-10-18	授权	授权
2015-05-20	公开	公开
2020-03-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更事项:专利权人变更前:盛美半导体设备(上海)有限公司变更后:盛美半导体设备(上海)股份有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区中国上海张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢变更后:201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢

共 50 条

[1]

半导体结构形成方法 [P].

沈思杰 ;

刘宪周 ;

苟鸿雁 .

中国专利 :CN102723278B ,2012-10-10

[2]

半导体结构形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655252B ,2016-06-08

[3]

半导体结构形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN105632908B ,2016-06-01

[4]

半导体结构形成方法 [P].

宁先捷 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN104576539A ,2015-04-29

[5]

半导体结构形成方法 [P].

刘中元 ;

赵鹏 ;

马孝田 .

中国专利 :CN111725068A ,2020-09-29

[6]

半导体结构形成方法 [P].

崔明 .

中国专利 :CN114613675A ,2022-06-10

[7]

半导体结构形成方法 [P].

卢仁祥 ;

蔡宗翰 ;

张世勳 .

中国专利 :CN110610989A ,2019-12-24

[8]

半导体结构形成方法 [P].

刘中元 ;

赵鹏 ;

马孝田 .

中国专利 :CN111725068B ,2024-06-18

[9]

半导体结构形成方法 [P].

林宗德 ;

彭琬婷 ;

黄仁德 .

中国专利 :CN108281355A ,2018-07-13

[10]

半导体结构形成方法 [P].

崔明 .

中国专利 :CN114613675B ,2025-06-24

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