一种Cu<sub>7</sub>Te<sub>4</sub>纳米片的制备方法及其应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310147154.2
申请日
2023-02-15
公开(公告)号
CN116281888B
公开(公告)日
2025-07-11
发明(设计)人
高阳 王守国 叶坤 周文达 田尚杰 杨蒙蒙 阚绪材 臧一鹏 陈学刚
申请人
安徽大学
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号
IPC主分类号
C01B19/04
IPC分类号
C23C16/44 C23C16/30 C23C16/02 B82Y30/00 B82Y40/00
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
刘二艳
法律状态
授权
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
一种Bi<sub>4</sub>O<sub>4</sub>SeCl<sub>2</sub>纳米片的制备方法 [P]. 
周剑 ;
马知遥 ;
谢凡 .
中国专利 :CN119082856A ,2024-12-06
[2]
一种α-Al<sub>2</sub>Mo<sub>3</sub>O<sub>12</sub>纳米片及其制备方法和应用 [P]. 
黄寒 ;
白金栋 ;
欧阳方平 ;
王跃东 .
中国专利 :CN119776988A ,2025-04-08
[3]
一种三元Sb<sub>2</sub>(Se<sub>1-x</sub>Te<sub>x</sub>)<sub>3</sub>二维纳米片的制备方法 [P]. 
黄兴 ;
杨顺航 ;
李倩 .
中国专利 :CN117566694B ,2025-11-07
[4]
一种三元Sb<sub>2</sub>(Se<sub>1-x</sub>Te<sub>x</sub>)<sub>3</sub>二维纳米片的制备方法 [P]. 
黄兴 ;
杨顺航 ;
李倩 .
中国专利 :CN117566694A ,2024-02-20
[5]
一种Cu<sub>3</sub>Mo<sub>2</sub>O<sub>9</sub>纳米片阵列及其制备方法 [P]. 
张利锋 ;
白嘉玺 ;
阮欢 ;
胡越 ;
刘毅 ;
郭守武 .
中国专利 :CN113880141B ,2024-07-23
[6]
一种NH<sub>4</sub>V<sub>4</sub>O<sub>10</sub>纳米片微簇及其制备方法和应用 [P]. 
乜广弟 ;
朱兆媛 ;
王健 ;
马翔 .
中国专利 :CN117566792A ,2024-02-20
[7]
一种锑硫化物(pipH<sub>2</sub>)Sb<sub>4</sub>S<sub>7</sub>纳米片及其制备方法和应用 [P]. 
熊伟伟 ;
于济铭 .
中国专利 :CN117680199B ,2025-11-07
[8]
一种锑硫化物(pipH<sub>2</sub>)Sb<sub>4</sub>S<sub>7</sub>纳米片及其制备方法和应用 [P]. 
熊伟伟 ;
于济铭 .
中国专利 :CN117680199A ,2024-03-12
[9]
Bi<sub>5</sub>O<sub>7</sub>Br纳米片的制备方法 [P]. 
穆飞虎 ;
戴本林 ;
徐生盼 ;
吴真 ;
褚效中 ;
王飞 ;
张莉莉 ;
徐继明 .
中国专利 :CN113998734B ,2024-01-26
[10]
一种Fe<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>/MoO<sub>3</sub>纳米片的制备方法及其三甲胺检测应用 [P]. 
孟丹 ;
何纯 ;
伞晓广 ;
李瑞祥 ;
张磊 ;
潘禹伯 .
中国专利 :CN118877945A ,2024-11-01