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半导体X射线检测器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202280102052.2
申请日
:
2022-12-13
公开(公告)号
:
CN120266601A
公开(公告)日
:
2025-07-04
发明(设计)人
:
曹培炎
许宁
申请人
:
深圳帧观德芯科技有限公司
申请人地址
:
518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山社区南海大道1019号南山医疗器械产业园A、B座B507
IPC主分类号
:
H10F30/29
IPC分类号
:
G01T1/24
代理机构
:
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人
:
房岭梅;姚鹏
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-22
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10F 30/29申请日:20221213
2025-07-04
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体X射线检测器
[P].
曹培炎
论文数:
0
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0
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0
曹培炎
;
刘雨润
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0
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0
刘雨润
.
中国专利
:CN113544546A
,2021-10-22
[2]
半导体X射线检测器
[P].
曹培炎
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0
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0
曹培炎
.
中国专利
:CN108271415A
,2018-07-10
[3]
半导体X射线检测器
[P].
曹培炎
论文数:
0
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0
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0
曹培炎
;
刘雨润
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0
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0
刘雨润
.
中国专利
:CN107533146B
,2018-01-02
[4]
半导体X射线检测器的封装
[P].
曹培炎
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0
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0
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曹培炎
;
刘雨润
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0
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刘雨润
.
中国专利
:CN109661595A
,2019-04-19
[5]
半导体X射线检测器的封装方法
[P].
曹培炎
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曹培炎
;
刘雨润
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0
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刘雨润
.
中国专利
:CN108369285A
,2018-08-03
[6]
制作半导体X射线检测器的方法
[P].
曹培炎
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曹培炎
;
刘雨润
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刘雨润
.
中国专利
:CN107533145B
,2018-01-02
[7]
制作半导体X射线检测器的方法
[P].
曹培炎
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0
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曹培炎
;
刘雨润
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刘雨润
.
中国专利
:CN107710021B
,2018-02-16
[8]
半导体X射线检测器的封装方法
[P].
曹培炎
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0
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曹培炎
;
刘雨润
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刘雨润
.
中国专利
:CN108027448B
,2018-05-11
[9]
半导体X射线检测器的封装
[P].
曹培炎
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曹培炎
;
刘雨润
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刘雨润
.
中国专利
:CN109690351B
,2019-04-26
[10]
具有多层半导体X射线检测器的系统
[P].
曹培炎
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曹培炎
;
刘雨润
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刘雨润
.
中国专利
:CN109690355A
,2019-04-26
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