一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法

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专利类型
发明
申请号
CN202210759231.5
申请日
2022-06-29
公开(公告)号
CN114997086B
公开(公告)日
2025-07-11
发明(设计)人
董志华 吴凯伦 李建 仇先浩 程知群
申请人
杭州电子科技大学 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
申请人地址
310018 浙江省杭州市下沙高教园区
IPC主分类号
G06F30/331
IPC分类号
G06F30/392
代理机构
浙江永鼎律师事务所 33233
代理人
金肯晗
法律状态
著录事项变更
国省代码
浙江省 杭州市
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共 50 条
[1]
一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法 [P]. 
董志华 ;
吴凯伦 ;
李建 ;
仇先浩 ;
程知群 .
中国专利 :CN114997086A ,2022-09-02
[2]
MIM电容的等效电路、MIM电容等效电路的参数获取方法 [P]. 
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[3]
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[4]
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[5]
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[6]
一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法 [P]. 
董志华 ;
欧阳御龙 .
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[7]
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[8]
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[10]
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王瀚升 ;
何伟梁 ;
张明辉 ;
唐旭升 ;
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