一种一步实现层状氧化物插层剥离制备大尺寸单层纳米片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411182849.5

申请日：

2024-08-27

公开(公告)号：

CN119059553B

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

蔡兴科李晨熠刘威

申请人：

深圳大学

申请人地址：

518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

IPC主分类号：

C01G23/00

IPC分类号：

C01G51/00 B82Y40/00

代理机构：

北京盛询知识产权代理有限公司 11901

代理人：

张影

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省佛山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 23/00申请日:20240827
2025-07-11	授权	授权
2024-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种一步实现层状氧化物插层剥离制备大尺寸单层纳米片的方法 [P].

蔡兴科 ;

李晨熠 ;

刘威 .

中国专利 :CN119059553A ,2024-12-03

[2]

一种超声剥离氧化物纳米片的方法 [P].

李宝文 ;

祁宏祥 .

中国专利 :CN112079384A ,2020-12-15

[3]

一种掺杂锰基氧化物纳米片的制备方法 [P].

黄艺吟 ;

权炜伟 .

中国专利 :CN112266022A ,2021-01-26

[4]

一种层状钴氧化物的制备方法 [P].

陈刚 ;

裴健 ;

肖锋 ;

王琳 .

中国专利 :CN101412544A ,2009-04-22

[5]

一种一步合成单层二氧化锰纳米片的方法 [P].

孙航 ;

刘镇宁 ;

许孔亮 ;

尹升燕 .

中国专利 :CN104310486A ,2015-01-28

[6]

一种制备氧化物纳米六方片的方法 [P].

杨德仁 ;

张辉 ;

邬剑波 ;

马向阳 .

中国专利 :CN1974413A ,2007-06-06

[7]

一种大尺寸ZnSe纳米片的制备方法 [P].

冯博 ;

曹健 ;

杨景海 .

中国专利 :CN104229758A ,2014-12-24

[8]

一步合成大尺寸SnS纳米片的制备方法 [P].

曹萌 ;

高王升 ;

张庆 ;

王林军 ;

沈悦 .

中国专利 :CN105253910A ,2016-01-20

[9]

一种新型钴锰氧化物纳米片的制备方法及其应用 [P].

何加钦 ;

汤华国 ;

李思蒙 ;

汤占先 ;

汪圣博 ;

王雅静 ;

黄永兰 ;

黄德奇 .

中国专利 :CN119702000A ,2025-03-28

[10]

一种简易插层剥离获得二硫化钼纳米片的方法 [P].

田正山 ;

曹可生 ;

白素贞 ;

理记涛 .

中国专利 :CN107720825A ,2018-02-23

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