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III族元素氮化物基板及III族元素氮化物基板的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280101782.0
申请日：
2022-12-13
公开(公告)号：
CN120283088A
公开(公告)日：
2025-07-08
发明(设计)人：
大上翔平
申请人：
日本碍子株式会社
申请人地址：
日本国爱知县
IPC主分类号：
C30B29/38
IPC分类号：
代理机构：
北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432
代理人：
郑雪娜;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-08 公开 公开
2025-07-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/38申请日:20221213
共 50 条
[1]
III族元素氮化物基板及III族元素氮化物基板的制造方法 [P]. 
仓冈义孝 ;
平岩惠 ;
野中健太朗 .
日本专利 :CN120712386A ,2025-09-26
[2]
III族元素氮化物基板及III族元素氮化物基板的制造方法 [P]. 
今井克宏 ;
杉山智彦 ;
野中健太朗 .
日本专利 :CN118632950A ,2024-09-10
[3]
III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板 [P]. 
久保田芳宏 ;
永田和寿 .
中国专利 :CN114901876A ,2022-08-12
[4]
III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板 [P]. 
久保田芳宏 ;
永田和寿 .
日本专利 :CN114901876B ,2024-08-27
[5]
III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P]. 
森勇介 ;
吉村政志 ;
今西正幸 ;
北本启 ;
隅智亮 ;
泷野淳一 ;
冈山芳央 .
中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17
[6]
III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P]. 
森勇介 ;
吉村政志 ;
今西正幸 ;
北本启 ;
隅智亮 ;
泷野淳一 ;
冈山芳央 .
中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17
[7]
III族氮化物基板和III族氮化物结晶的制造方法 [P]. 
森勇介 ;
吉村政志 ;
今西正幸 ;
北本启 ;
泷野淳一 ;
隅智亮 ;
冈山芳央 .
中国专利 :CN110714190A ,2020-01-21
[8]
III族氮化物基板 [P]. 
森勇介 ;
吉村政志 ;
今西正幸 ;
北本启 ;
泷野淳一 ;
隅智亮 ;
冈山芳央 .
中国专利 :CN112635543A ,2021-04-09
[9]
III族氮化物基板以及III族氮化物结晶的制造方法 [P]. 
冈山芳央 .
中国专利 :CN107230737B ,2019-03-08
[10]
III族元素氮化物半导体基板及贴合基板 [P]. 
齐藤亚有实 ;
杉山智彦 .
日本专利 :CN118786257A ,2024-10-15
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