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沟槽式半导体元件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410069308.5
申请日：
2024-01-17
公开(公告)号：
CN120302680A
公开(公告)日：
2025-07-11
发明(设计)人：
张健乐 何昌瑾 黄建洺
申请人：
力晶积成电子制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D64/27
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
王锐
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-11 公开 公开
2025-07-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20240117
共 50 条
[1]
沟槽式功率半导体元件 [P]. 
李柏贤 ;
杨国良 ;
林伟捷 ;
林家福 .
中国专利 :CN107579110A ,2018-01-12
[2]
半导体元件沟槽式结构 [P]. 
庄智强 ;
黄朝新 .
中国专利 :CN203150559U ,2013-08-21
[3]
沟槽金氧半导体元件 [P]. 
陈劲甫 .
中国专利 :CN110034179A ,2019-07-19
[4]
沟槽金氧半导体元件 [P]. 
陈劲甫 .
中国专利 :CN110021656A ,2019-07-16
[5]
沟槽式功率半导体元件及其制造方法 [P]. 
许修文 .
中国专利 :CN107808827B ,2018-03-16
[6]
沟槽式功率半导体元件及其制造方法 [P]. 
许修文 ;
叶俊莹 ;
李元铭 .
中国专利 :CN109216449A ,2019-01-15
[7]
沟槽式功率半导体元件的制造方法 [P]. 
许修文 ;
叶俊莹 ;
倪君伟 ;
李元铭 .
中国专利 :CN109216450A ,2019-01-15
[8]
沟槽式功率半导体元件及其制造方法 [P]. 
张渊舜 ;
蔡依芸 ;
涂高维 .
中国专利 :CN102938414B ,2013-02-20
[9]
沟槽式功率半导体元件及其制造方法 [P]. 
蔡依芸 ;
张渊舜 ;
涂高维 .
中国专利 :CN102867848B ,2013-01-09
[10]
沟槽式功率半导体元件及其制造方法 [P]. 
许修文 .
中国专利 :CN109585547B ,2019-04-05
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