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半导体器件及用于制造该半导体器件的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411241510.8
申请日：
2024-09-05
公开(公告)号：
CN120264750A
公开(公告)日：
2025-07-04
发明(设计)人：
洪文柱
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
孙尚白;范心田
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-04 公开 公开
共 50 条
[1]
用于制造半导体器件的方法及该半导体器件 [P]. 
R·克尔纳 ;
A·魏格尔 ;
H·J·门希 ;
B·施密特 .
德国专利 :CN117642946A ,2024-03-01
[2]
半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P]. 
北村卓也 ;
佐甲隆 .
中国专利 :CN1705128A ,2005-12-07
[3]
半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P]. 
徐勇源 .
中国专利 :CN101714529A ,2010-05-26
[4]
半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P]. 
李昌普 ;
孙瓘后 ;
吴俊锡 .
韩国专利 :CN113223971B ,2025-04-15
[5]
半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P]. 
爱场喜孝 ;
野本隆司 .
中国专利 :CN1697148A ,2005-11-16
[6]
半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P]. 
押田大介 .
中国专利 :CN102867795A ,2013-01-09
[7]
半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P]. 
冈本康弘 ;
中山达峰 ;
井上隆 ;
宫本广信 .
中国专利 :CN102931221B ,2013-02-13
[8]
半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P]. 
金泰善 ;
李钟振 ;
杰森·马蒂诺 ;
徐康一 ;
洪元赫 .
韩国专利 :CN119181706A ,2024-12-24
[9]
半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P]. 
横山孝司 ;
宇佐美达矢 .
中国专利 :CN1245350A ,2000-02-23
[10]
半导体器件及该半导体器件的制造方法 [P]. 
千大焕 .
中国专利 :CN109962109A ,2019-07-02
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