一种化学气相沉积碳化硅的沉积方法及系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510639605.3

申请日：

2025-05-19

公开(公告)号：

CN120291050A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

吴松

申请人：

苏州精材半导体科技有限公司北京精测半导体装备有限公司北京精材半导体科技有限公司

申请人地址：

215127 江苏省苏州市工业园区启明路8号综合保税区B区H厂房

IPC主分类号：

C23C16/32

IPC分类号：

C23C16/52 C23C16/56 C23C16/455

代理机构：

苏州石金知识产权代理事务所(普通合伙) 32844

代理人：

徐燕

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	公开	公开
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/32申请日:20250519

共 50 条

[1]

一种化学气相沉积碳化硅的系统 [P].

吴松 .

中国专利 :CN223576589U ,2025-11-21

[2]

一种化学气相沉积碳化硅设备 [P].

王琨 ;

司奇峰 ;

王慧 .

中国专利 :CN118639210A ,2024-09-13

[3]

化学气相沉积的碳化硅制品 [P].

M·A·皮克林 ;

J·L·特里巴 ;

K·D·莱斯 .

中国专利 :CN101429048A ,2009-05-13

[4]

一种化学气相沉积碳化硅环生产用沉积系统 [P].

张桂华 ;

刘畅 .

中国专利 :CN119776806A ,2025-04-08

[5]

一种碳化硅化学气相沉积设备 [P].

戴煜 ;

胡祥龙 ;

周岳兵 .

中国专利 :CN204097561U ,2015-01-14

[6]

一种化学气相沉积碳化硅环生产用沉积系统 [P].

张桂华 ;

刘畅 .

中国专利 :CN119776806B ,2025-06-13

[7]

一种碳化硅化学气相沉积设备及方法 [P].

戴煜 ;

胡祥龙 ;

周岳兵 .

中国专利 :CN104233221B ,2014-12-24

[8]

一种碳化硅外延化学气相沉积系统 [P].

文成 ;

牧青 ;

李宝 .

中国专利 :CN117265650B ,2024-05-03

[9]

一种化学气相沉积碳化硅环生产用沉积设备 [P].

朱伟 ;

薛同磊 .

中国专利 :CN120967320A ,2025-11-18

[10]

化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置 [P].

杨泰生 ;

刘海林 ;

霍艳丽 ;

陈玉峰 ;

唐婕 ;

胡利明 .

中国专利 :CN108546928B ,2018-09-18

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