SiC器件高加速功率循环试验的温度控制系统及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510561574.4

申请日：

2025-04-30

公开(公告)号：

CN120315501A

公开(公告)日：

2025-07-15

发明(设计)人：

桂明洋迟雷安伟周振华马春利彭浩席善斌陈龙坡周晓黎

申请人：

中国电子科技集团公司第十三研究所

申请人地址：

050051 河北省石家庄市合作路113号

IPC主分类号：

G05D23/22

IPC分类号：

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

苏晓丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G05D 23/22申请日:20250430
2025-07-15	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC MOSFET功率循环试验方法 [P].

陈媛 ;

贺致远 ;

陈义强 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN112731091A ,2021-04-30

[2]

SiC MOSFET功率循环试验方法 [P].

陈媛 ;

贺致远 ;

陈义强 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN112731091B ,2024-04-23

[3]

半导体器件的功率循环试验装置和系统 [P].

迟雷 ;

桂明洋 ;

高蕾 ;

黄杰 ;

彭浩 ;

高金环 ;

陈龙坡 ;

张瑞霞 .

中国专利 :CN111521922B ,2020-08-11

[4]

6000A压接式半导体器件的功率循环试验系统及方法 [P].

孙远 ;

孙鸿禹 ;

黄永章 .

中国专利 :CN118011170A ,2024-05-10

[5]

温度控制系统及控制方法 [P].

林士峰 ;

林宝军 ;

马二瑞 ;

蒋桂忠 .

中国专利 :CN111854491A ,2020-10-30

[6]

温度控制系统及温度控制方法 [P].

陈孟淞 ;

罗天赐 .

中国专利 :CN105717952A ,2016-06-29

[7]

温度控制方法及温度控制系统 [P].

阮麟 ;

刘哲 ;

王为民 ;

杨晓卫 ;

金姝 .

中国专利 :CN101162396A ,2008-04-16

[8]

温度控制系统及温度控制方法 [P].

刘富明 .

中国专利 :CN104881060A ,2015-09-02

[9]

温度控制方法及温度控制系统 [P].

陈泰宇 ;

薛文灿 ;

杨济维 .

中国专利 :CN105302179B ,2016-02-03

[10]

温度控制系统及温度控制方法 [P].

黄琮圣 .

中国专利 :CN118363416A ,2024-07-19

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