SiC MOSFET功率循环试验方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011382276.2

申请日：

2020-12-01

公开(公告)号：

CN112731091B

公开(公告)日：

2024-04-23

发明(设计)人：

陈媛贺致远陈义强侯波刘昌

申请人：

中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））

申请人地址：

511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

郭凤杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-23	授权	授权

共 50 条

[1]

SiC MOSFET功率循环试验方法 [P].

陈媛 ;

贺致远 ;

陈义强 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN112731091A ,2021-04-30

[2]

功率循环试验装置以及功率循环试验方法 [P].

冈本学 ;

大浦修一 .

中国专利 :CN113311303A ,2021-08-27

[3]

功率循环试验装置以及功率循环试验方法 [P].

冈本学 ;

大浦修一 .

日本专利 :CN113311303B ,2024-12-03

[4]

一种直流耗能阀功率循环试验电路以及试验方法 [P].

范彩云 ;

户永杰 ;

韩坤 ;

夏克鹏 ;

张志刚 ;

田颀 ;

李娟 ;

赵长浩 ;

司志磊 .

中国专利 :CN112362980A ,2021-02-12

[5]

一种SiC MOSFET功率循环测试方法 [P].

戴留兴 ;

曹欢 ;

徐朋 .

中国专利 :CN120542156A ,2025-08-26

[6]

SiC MOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法、系统、装置 [P].

陈媛 ;

史益典 ;

侯波 ;

贺致远 ;

陈义强 ;

施宜军 ;

蔡宗棋 .

中国专利 :CN116879702B ,2024-04-23

[7]

一种功率MOSFET器件间歇功率试验系统及试验方法 [P].

吴玉强 ;

张强 ;

郗厚熠 ;

王雪霞 ;

吕明 ;

孙家高 ;

张纪伟 ;

孟凡全 ;

马涛 ;

杨永超 .

中国专利 :CN118425605A ,2024-08-02

[8]

一种功率循环试验中自动穿插静态特性测试的试验方法 [P].

袁群 ;

胡昊 ;

罗亚非 ;

宋星宇 .

中国专利 :CN120742055A ,2025-10-03

[9]

SiC器件高加速功率循环试验的温度控制系统及方法 [P].

桂明洋 ;

迟雷 ;

安伟 ;

周振华 ;

马春利 ;

彭浩 ;

席善斌 ;

陈龙坡 ;

周晓黎 .

中国专利 :CN120315501A ,2025-07-15

[10]

一种单向大功率直流变压器功率循环试验方法 [P].

赵彪 ;

陈宇硕 ;

屈鲁 ;

曾嵘 ;

余占清 ;

崔彬 ;

张雪垠 ;

汤雪腾 ;

马已青 ;

周天吉 ;

白睿航 .

中国专利 :CN118011116A ,2024-05-10

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