SiC MOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法、系统、装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310848200.1

申请日：

2023-07-11

公开(公告)号：

CN116879702B

公开(公告)日：

2024-04-23

发明(设计)人：

陈媛史益典侯波贺致远陈义强施宜军蔡宗棋

申请人：

中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））

申请人地址：

511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

姜晓云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-23	授权	授权

共 50 条

[1]

SiC MOSFET功率循环试验方法 [P].

陈媛 ;

贺致远 ;

陈义强 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN112731091A ,2021-04-30

[2]

SiC MOSFET功率循环试验方法 [P].

陈媛 ;

贺致远 ;

陈义强 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN112731091B ,2024-04-23

[3]

一种SiC MOSFET功率循环特征参数在线提取方法和系统 [P].

姜宇航 ;

熊万泽 ;

陈雨浩 .

中国专利 :CN119689195A ,2025-03-25

[4]

一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法 [P].

王振宇 ;

李运甲 ;

孙晓华 ;

朱郑允 ;

郭清 ;

刘晔 .

中国专利 :CN110907791A ,2020-03-24

[5]

一种SiC MOSFET功率循环测试方法 [P].

戴留兴 ;

曹欢 ;

徐朋 .

中国专利 :CN120542156A ,2025-08-26

[6]

半导体器件栅氧退化机理的诊断方法 [P].

陈媛 ;

何亮 ;

施宜军 ;

陈兴欢 ;

赵鹏 ;

蔡宗棋 .

中国专利 :CN118688602A ,2024-09-24

[7]

半导体器件栅氧退化机理的诊断方法 [P].

陈媛 ;

何亮 ;

施宜军 ;

陈兴欢 ;

赵鹏 ;

蔡宗棋 .

中国专利 :CN118688602B ,2024-12-31

[8]

一种牵引系统故障的在线诊断方法及装置 [P].

李学明 ;

徐绍龙 ;

甘韦韦 ;

郭维 ;

袁靖 ;

彭辉 ;

黄明明 ;

廖亮 ;

谭永光 .

中国专利 :CN114004268A ,2022-02-01

[9]

一种牵引系统故障的在线诊断方法及装置 [P].

李学明 ;

徐绍龙 ;

甘韦韦 ;

郭维 ;

袁靖 ;

彭辉 ;

黄明明 ;

廖亮 ;

谭永光 .

中国专利 :CN114004268B ,2025-02-18

[10]

一种SiC MOSFET直流功率循环加速寿命测试系统及方法 [P].

丁晓峰 ;

王斌斌 ;

赵明博 ;

杨雁勇 .

中国专利 :CN121142257A ,2025-12-16

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