半导体器件栅氧退化机理的诊断方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411174354.8

申请日：

2024-08-26

公开(公告)号：

CN118688602B

公开(公告)日：

2024-12-31

发明(设计)人：

陈媛何亮施宜军陈兴欢赵鹏蔡宗棋

申请人：

中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））

申请人地址：

511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

张捷美

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-31	授权	授权
2024-09-24	公开	公开
2024-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20240826

共 50 条

[1]

半导体器件栅氧退化机理的诊断方法 [P].

陈媛 ;

何亮 ;

施宜军 ;

陈兴欢 ;

赵鹏 ;

蔡宗棋 .

中国专利 :CN118688602A ,2024-09-24

[2]

半导体器件的栅氧形成方法 [P].

张家瑞 ;

徐杰 ;

李小康 ;

吴志涛 .

中国专利 :CN112635311A ,2021-04-09

[3]

隔离栅半导体器件及其制造方法 [P].

罗伯特·Ｂ·戴维斯 ;

钱德瑞斯克哈拉·修德哈姆 ;

弗兰克Ｋ·贝克 .

中国专利 :CN1094654C ,1997-01-01

[4]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

杨继业 ;

赵龙杰 ;

李昊 .

中国专利 :CN110739347A ,2020-01-31

[5]

包含沟槽栅的半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

吴栋华 ;

石新欢 .

中国专利 :CN113903794A ,2022-01-07

[6]

半导体器件的失效诊断方法 [P].

王丹丹 ;

张丹阳 ;

李庆 ;

张彦飞 ;

刘梦新 ;

温霄霞 .

中国专利 :CN119758016B ,2025-07-08

[7]

半导体器件的失效诊断方法 [P].

王丹丹 ;

张丹阳 ;

李庆 ;

张彦飞 ;

刘梦新 ;

温霄霞 .

中国专利 :CN119758016A ,2025-04-04

[8]

防止半导体器件退化的方法、半导体器件及其制造方法 [P].

A.莫德 ;

F.希尔勒 ;

W.莱纳特 ;

R.贝尔格 ;

K.普吕格尔 ;

H-J.舒尔策 ;

H.斯特拉克 .

中国专利 :CN102347215A ,2012-02-08

[9]

沟槽栅半导体器件的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465349B ,2015-03-25

[10]

具有栅氧优化结构的功率半导体器件 [P].

陈龙 .

中国专利 :CN215731674U ,2022-02-01

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