半导体器件的失效诊断方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510264938.2

申请日：

2025-03-06

公开(公告)号：

CN119758016A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

王丹丹张丹阳李庆张彦飞刘梦新温霄霞

申请人：

北京中科新微特科技开发股份有限公司

申请人地址：

100012 北京市朝阳区北苑路58号楼17层1702房间

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

娜拉

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20250306
2025-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的失效诊断方法 [P].

王丹丹 ;

张丹阳 ;

李庆 ;

张彦飞 ;

刘梦新 ;

温霄霞 .

中国专利 :CN119758016B ,2025-07-08

[2]

半导体器件的失效分析方法 [P].

韦俊 ;

董红 .

中国专利 :CN102565680B ,2012-07-11

[3]

半导体器件的失效分析方法 [P].

李桂花 ;

高慧敏 .

中国专利 :CN111477262B ,2020-07-31

[4]

半导体器件失效分析方法 [P].

高慧敏 ;

魏磊 ;

张顺勇 .

中国专利 :CN110261753A ,2019-09-20

[5]

半导体器件失效定位方法 [P].

孙雨浓 ;

武城 ;

高金德 .

中国专利 :CN120637256A ,2025-09-12

[6]

半导体器件失效检测方法 [P].

袁锦科 ;

黄彩清 .

中国专利 :CN115684153A ,2023-02-03

[7]

半导体器件中的失效结构 [P].

T·巴斯勒 ;

A·许尔纳 ;

C·莱恩德茨 ;

D·彼得斯 .

中国专利 :CN112864126A ,2021-05-28

[8]

半导体测试结构及半导体器件的失效分析方法 [P].

李桂花 .

中国专利 :CN112018084A ,2020-12-01

[9]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

马跃 ;

袁家贵 ;

何云 .

中国专利 :CN115346870A ,2022-11-15

[10]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

欧志文 ;

唐斌 .

中国专利 :CN115064432A ,2022-09-16

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