防止半导体器件退化的方法、半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110208302.4

申请日：

2011-07-25

公开(公告)号：

CN102347215A

公开(公告)日：

2012-02-08

发明(设计)人：

A.莫德 F.希尔勒 W.莱纳特 R.贝尔格 K.普吕格尔 H-J.舒尔策 H.斯特拉克

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21314 H01L21336 H01L21331 H01L2906 H01L2978 H01L29739

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

胡莉莉;李家麟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-08	公开	公开
2012-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101208129261 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2011102083024 申请日:20110725
2015-04-01	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

间部谦三 ;

远藤和彦 .

中国专利 :CN1555580A ,2004-12-15

[4]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

松浦修武 .

中国专利 :CN104425488A ,2015-03-18

[5]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN1149659C ,1998-05-13

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

单利军 ;

康赐俊 ;

刘宇 ;

邱泰玮 ;

王丹云 ;

沈鼎瀛 .

中国专利 :CN112018234A ,2020-12-01

[7]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

唐粕人 .

中国专利 :CN109904120B ,2019-06-18

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

李东洙 ;

李明宰 ;

赵成豪 ;

穆罕默德·拉基布·乌丁 ;

大卫·徐 ;

梁炆承 ;

李商文 ;

李成训 ;

许智贤 ;

黄义澈 .

中国专利 :CN104425620A ,2015-03-18

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