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一种单晶金刚石的批量化生长方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510257029.6
申请日
:
2025-03-05
公开(公告)号
:
CN120250144A
公开(公告)日
:
2025-07-04
发明(设计)人
:
彭方乐
朱肖华
方海江
申请人
:
河南天璇半导体科技有限责任公司
申请人地址
:
450000 河南省郑州市河南自贸试验区郑州片区(郑东)龙湖中环路与龙源西四街交叉口启迪郑东科技城产促中心2楼226号
IPC主分类号
:
C30B25/00
IPC分类号
:
C30B29/04
代理机构
:
郑州睿信知识产权代理有限公司 41119
代理人
:
郭佳效
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
广东省 汕头市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-22
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/00申请日:20250305
2025-07-04
公开
公开
共 50 条
[1]
单晶金刚石生长方法和装置
[P].
汤朝晖
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汤朝晖
;
高冰
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高冰
;
刘胜
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刘胜
;
汪启军
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汪启军
;
张磊
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张磊
;
潘俊衡
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潘俊衡
;
谢英
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谢英
.
中国专利
:CN108315816B
,2018-07-24
[2]
单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材
[P].
郭艳敏
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机构:
中电科先进材料技术创新有限公司
中电科先进材料技术创新有限公司
郭艳敏
;
王楠
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中电科先进材料技术创新有限公司
中电科先进材料技术创新有限公司
王楠
;
赵堃
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中电科先进材料技术创新有限公司
中电科先进材料技术创新有限公司
赵堃
;
莫宇
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机构:
中电科先进材料技术创新有限公司
中电科先进材料技术创新有限公司
莫宇
.
中国专利
:CN116516476B
,2024-02-13
[3]
高效大尺寸单晶金刚石的生长方法和装置
[P].
刘胜
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刘胜
;
汪启军
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汪启军
;
甘志银
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甘志银
;
曹强
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曹强
.
中国专利
:CN108315817A
,2018-07-24
[4]
一种单晶金刚石毛坯的批量化快速生长方法
[P].
陆明
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机构:
上海交通大学
上海交通大学
陆明
;
孙方宏
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上海交通大学
上海交通大学
孙方宏
;
袁强
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机构:
上海交通大学
上海交通大学
袁强
;
王金朋
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机构:
上海交通大学
上海交通大学
王金朋
;
王金锁
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机构:
上海交通大学
上海交通大学
王金锁
.
中国专利
:CN118241308A
,2024-06-25
[5]
金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法
[P].
崔新春
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
崔新春
;
万玉喜
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深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
万玉喜
;
胡浩林
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深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
胡浩林
;
曾威
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
曾威
.
中国专利
:CN117568926B
,2024-09-13
[6]
金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法
[P].
崔新春
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
崔新春
;
万玉喜
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
万玉喜
;
胡浩林
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深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
胡浩林
;
曾威
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
曾威
.
中国专利
:CN117568926A
,2024-02-20
[7]
快速生长速率的无色单晶CVD金刚石
[P].
拉塞尔·J·赫姆雷
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拉塞尔·J·赫姆雷
;
毛霍光
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毛霍光
;
闫志学
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闫志学
.
中国专利
:CN101198544A
,2008-06-11
[8]
一种拼接生长金刚石单晶的方法
[P].
王启亮
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王启亮
;
李红东
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李红东
;
邹广田
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邹广田
;
吕宪义
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吕宪义
;
成绍恒
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成绍恒
;
刘钧松
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刘钧松
;
高楠
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高楠
;
李柳暗
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李柳暗
.
中国专利
:CN113463192B
,2021-10-01
[9]
一种生长凸面金刚石的钼台与生长方法
[P].
曹光宇
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机构:
化合积电(厦门)半导体科技有限公司
化合积电(厦门)半导体科技有限公司
曹光宇
;
张星
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机构:
化合积电(厦门)半导体科技有限公司
化合积电(厦门)半导体科技有限公司
张星
.
中国专利
:CN117448792A
,2024-01-26
[10]
一种纳米金刚石薄膜的生长方法
[P].
甘志银
论文数:
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机构:
广东众元半导体科技有限公司
广东众元半导体科技有限公司
甘志银
;
汪启军
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机构:
广东众元半导体科技有限公司
广东众元半导体科技有限公司
汪启军
;
甘志文
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机构:
广东众元半导体科技有限公司
广东众元半导体科技有限公司
甘志文
.
中国专利
:CN119956481A
,2025-05-09
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