快速生长速率的无色单晶CVD金刚石

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680018402.8

申请日：

2006-05-23

公开(公告)号：

CN101198544A

公开(公告)日：

2008-06-11

发明(设计)人：

拉塞尔·J·赫姆雷毛霍光闫志学

申请人：

申请人地址：

美国华盛顿

IPC主分类号：

C01B3106

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

郑立;林月俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-11	公开	公开
2014-10-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101705681123 IPC(主分类):C01B 31/06 专利申请号:2006800184028 申请公布日:20080611

共 50 条

[1]

单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116516476B ,2024-02-13

[2]

单晶金刚石生长方法和装置 [P].

汤朝晖 ;

高冰 ;

刘胜 ;

汪启军 ;

张磊 ;

潘俊衡 ;

谢英 .

中国专利 :CN108315816B ,2018-07-24

[3]

高效大尺寸单晶金刚石的生长方法和装置 [P].

刘胜 ;

汪启军 ;

甘志银 ;

曹强 .

中国专利 :CN108315817A ,2018-07-24

[4]

一种提高CVD单晶金刚石硬度及韧性的方法 [P].

李成明 ;

赵云 ;

刘金龙 ;

郑宇亭 ;

陈良贤 ;

魏俊俊 .

中国专利 :CN108545738A ,2018-09-18

[5]

一种单晶金刚石的批量化生长方法 [P].

彭方乐 ;

朱肖华 ;

方海江 .

中国专利 :CN120250144A ,2025-07-04

[6]

一种拼接生长金刚石单晶的方法 [P].

王启亮 ;

李红东 ;

邹广田 ;

吕宪义 ;

成绍恒 ;

刘钧松 ;

高楠 ;

李柳暗 .

中国专利 :CN113463192B ,2021-10-01

[7]

制备单晶金刚石用基片台、单晶金刚石的制备方法 [P].

马晨阳 ;

朱肖华 ;

张春林 ;

方海江 .

中国专利 :CN119020855A ,2024-11-26

[8]

CVD单晶金刚石 [P].

B·S·特鲁斯科特 ;

S·利金斯 ;

D·J·特维切 ;

D·J·奇基 ;

W·J·希尔曼 .

英国专利 :CN118119741A ,2024-05-31

[9]

CVD单晶金刚石 [P].

B·S·特拉斯科特 ;

S·利金斯 ;

A·M·埃德蒙斯 ;

D·J·奇基 ;

W·J·希尔曼 .

英国专利 :CN118119740A ,2024-05-31

[10]

一种MPCVD法生产单晶金刚石的方法 [P].

郑逢达 ;

李宏利 ;

方海江 ;

崔名扬 .

中国专利 :CN114836829A ,2022-08-02

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