一种晶圆表面贵金属提取工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311822456.1
申请日
2023-12-27
公开(公告)号
CN120221386A
公开(公告)日
2025-06-27
发明(设计)人
温子瑛 陶丽华
申请人
无锡华瑛微电子技术有限公司
申请人地址
214131 江苏省无锡市新区震泽路18号无锡(国家)软件园鲸鱼座A栋1楼
IPC主分类号
H01L21/02
IPC分类号
C22B11/00 C22B11/06 C22B7/00
代理机构
苏州简理知识产权代理有限公司 32371
代理人
高泽民
法律状态
公开
国省代码
江苏省 无锡市
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种贵金属的提取工艺 [P]. 
秦高飞 ;
郭佳 ;
张新村 .
中国专利 :CN102776382A ,2012-11-14
[2]
一种晶圆表面上贵金属含量的测试方法 [P]. 
原伟亮 ;
张印月 ;
李浩 ;
陈阳 ;
李时璟 .
中国专利 :CN119643681B ,2025-06-10
[3]
一种晶圆表面上贵金属含量的测试方法 [P]. 
原伟亮 ;
张印月 ;
李浩 ;
陈阳 ;
李时璟 .
中国专利 :CN119643681A ,2025-03-18
[4]
一种电子废弃物贵金属分离提取装置及提取工艺 [P]. 
余结焕 ;
钟尚言 .
中国专利 :CN121065476A ,2025-12-05
[5]
一种晶圆加工工艺 [P]. 
严立巍 .
中国专利 :CN117410227A ,2024-01-16
[6]
一种贵金属提取瓶 [P]. 
孙征 .
中国专利 :CN110016573A ,2019-07-16
[7]
一种贵金属提取结构 [P]. 
王伟 ;
张伟贤 .
中国专利 :CN214991757U ,2021-12-03
[8]
一种半导体晶圆扩晶工艺 [P]. 
李涵 ;
孙勇 .
中国专利 :CN108597989B ,2018-09-28
[9]
一种工业废料中贵金属提取工艺优化方法及装置 [P]. 
李将 ;
刘立瑞 ;
盘鸿 ;
李伟东 .
中国专利 :CN117744436A ,2024-03-22
[10]
一种半导体晶圆表面预处理装置及工艺 [P]. 
郑涛 ;
孙富成 .
中国专利 :CN119993857A ,2025-05-13