半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311838367.6

申请日：

2023-12-27

公开(公告)号：

CN120236997A

公开(公告)日：

2025-07-01

发明(设计)人：

许超奇

申请人：

无锡华润上华科技有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L21/266

IPC分类号：

H01L21/265 H01L21/762 H10D86/00 H10D86/01

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

成亚婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/266申请日:20231227
2025-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 ;

骆志炯 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102479822A ,2012-05-30

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

赵梅 ;

梁仁荣 ;

王敬 ;

许军 .

中国专利 :CN102201436A ,2011-09-28

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102456737A ,2012-05-16

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102386226B ,2012-03-21

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

廖志成 ;

马洛宜·库马 ;

李家豪 ;

周仲德 ;

梁雅涵 .

中国专利 :CN110690116A ,2020-01-14

[6]

半导体结构的制造方法及其半导体结构 [P].

苏国辉 .

中国专利 :CN120825941A ,2025-10-21

[7]

半导体结构版图、半导体结构及其制造方法 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118676186A ,2024-09-20

[8]

半导体结构、半导体单元及其制造方法 [P].

黄田昊 ;

吴上义 ;

吴奕均 .

中国专利 :CN103855292A ,2014-06-11

[9]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN113314497A ,2021-08-27

[10]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

胡洋 ;

刘国全 ;

吴小鹏 ;

吕晖 .

中国专利 :CN118613053A ,2024-09-06

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