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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111067349.3
申请日：
2021-09-13
公开(公告)号：
CN115810577B
公开(公告)日：
2025-07-04
发明(设计)人：
卢经文
王晓玲
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
H01L21/764
H10B12/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-04 | 授权 | 授权 |