学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流密度提升的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311833546.0
申请日：
2023-12-28
公开(公告)号：
CN117779204B
公开(公告)日：
2025-07-08
发明(设计)人：
史鲁川 赵建发 靳常青
申请人：
中国科学院物理研究所
申请人地址：
100190 北京市海淀区中关村南三街8号
IPC主分类号：
C30B33/02
IPC分类号：
C30B29/22 C30B28/02 H01B12/00
代理机构：
北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386
代理人：
赵洋洋
法律状态：
公开
国省代码：
北京市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-03-29 公开 公开
2024-04-16 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 33/02申请日:20231228
2025-07-08 授权 授权
共 50 条
[1]
一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流密度提升的方法 [P]. 
史鲁川 ;
赵建发 ;
靳常青 .
中国专利 :CN117779204A ,2024-03-29
[2]
一种单相Cu1234超导体及其制备方法 [P]. 
靳常青 ;
赵建发 ;
史鲁川 .
中国专利 :CN118894719B ,2025-02-11
[3]
一种单相Cu1234超导体及其制备方法 [P]. 
靳常青 ;
赵建发 ;
史鲁川 .
中国专利 :CN118894719A ,2024-11-05
[4]
一种大尺寸Cu1234超导块体材料及其制备方法 [P]. 
史鲁川 ;
赵建发 ;
靳常青 .
中国专利 :CN117819959A ,2024-04-05
[5]
一种大尺寸Cu1234超导块体材料及其制备方法 [P]. 
史鲁川 ;
赵建发 ;
靳常青 .
中国专利 :CN117819959B ,2025-03-11
[6]
提高钇钡铜氧超导体临界电流密度的方法 [P]. 
任洪涛 ;
肖玲 ;
焦玉磊 ;
李际周 .
中国专利 :CN1066422C ,1998-08-26
[7]
一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 [P]. 
王雷 ;
马衍伟 ;
齐彦鹏 ;
王栋樑 ;
张志宇 ;
高召顺 ;
张现平 .
中国专利 :CN101707089A ,2010-05-12
[8]
一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 [P]. 
高召顺 ;
马衍伟 ;
王雷 ;
姚超 ;
齐彦鹏 ;
王春雷 ;
张现平 ;
王栋樑 .
中国专利 :CN102412017A ,2012-04-11
[9]
一种测量超导材料临界电流密度的方法 [P]. 
郭志超 ;
申建芳 ;
李平林 ;
程素君 .
中国专利 :CN105548668A ,2016-05-04
[10]
一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法 [P]. 
闫果 ;
冯勇 ;
卢亚锋 ;
李成山 ;
纪平 ;
吴怡芳 ;
王庆阳 .
中国专利 :CN1812000A ,2006-08-02
12345