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レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20220094363
申请日：
2022-06-10
公开(公告)号：
JP7698607B2
公开(公告)日：
2025-06-25
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
G03F7/11
IPC分类号：
G03F7/09 G03F7/26
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6718406B2 ,2020-07-08
[2]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7445583B2 ,2024-03-07
[3]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7714445B2 ,2025-07-29
[4]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
NAKAHARA TAKAYOSHI ;
KOORI DAISUKE ;
BIYAJIMA YUSUKE .
日本专利 :JP2024123764A ,2024-09-12
[5]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6853716B2 ,2021-03-31
[6]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7368322B2 ,2023-10-24
[7]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜の形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7617831B2 ,2025-01-20
[8]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、レジスト下層膜形成方法、及びレジスト下層膜材料用化合物[ja] [P]. 
日本专利 :JP6697416B2 ,2020-05-20
[9]
レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
ISHIWATA KENTA ;
KOORI DAISUKE ;
YANO TOSHIHARU ;
KOBAYASHI NAOKI ;
ARAIDA KEISUKE .
日本专利 :JP2025009348A ,2025-01-20
[10]
レジスト下層膜材料用重合体、レジスト下層膜材料、及びパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6404757B2 ,2018-10-17
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