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レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20230112290
申请日：
2023-07-07
公开(公告)号：
JP2025009348A
公开(公告)日：
2025-01-20
发明(设计)人：
ISHIWATA KENTA KOORI DAISUKE YANO TOSHIHARU KOBAYASHI NAOKI ARAIDA KEISUKE
申请人：
SHINETSU CHEMICAL CO
申请人地址：
IPC主分类号：
G03F7/11
IPC分类号：
C08G10/02 C08G61/10 H01L21/027
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
NAKAHARA TAKAYOSHI ;
KOORI DAISUKE ;
BIYAJIMA YUSUKE .
日本专利 :JP2024123764A ,2024-09-12
[2]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6718406B2 ,2020-07-08
[3]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7445583B2 ,2024-03-07
[4]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7698607B2 ,2025-06-25
[5]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7714445B2 ,2025-07-29
[6]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6853716B2 ,2021-03-31
[7]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7368322B2 ,2023-10-24
[8]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜の形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7617831B2 ,2025-01-20
[9]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、レジスト下層膜形成方法、及びレジスト下層膜材料用化合物[ja] [P]. 
日本专利 :JP6697416B2 ,2020-05-20
[10]
レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法[ja] [P]. 
KOBAYASHI NAOKI ;
ISHIWATA KENTA ;
KOORI DAISUKE ;
YANO TOSHIHARU .
日本专利 :JP2025027679A ,2025-02-28
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