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レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20230132687
申请日：
2023-08-16
公开(公告)号：
JP2025027679A
公开(公告)日：
2025-02-28
发明(设计)人：
KOBAYASHI NAOKI ISHIWATA KENTA KOORI DAISUKE YANO TOSHIHARU
申请人：
SHINETSU CHEMICAL CO
申请人地址：
IPC主分类号：
G03F7/11
IPC分类号：
C08G8/04 G03F7/26 H01L21/027
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
NAKAHARA TAKAYOSHI ;
KOORI DAISUKE ;
BIYAJIMA YUSUKE .
日本专利 :JP2024123764A ,2024-09-12
[2]
レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
ISHIWATA KENTA ;
KOORI DAISUKE ;
YANO TOSHIHARU ;
KOBAYASHI NAOKI ;
ARAIDA KEISUKE .
日本专利 :JP2025009348A ,2025-01-20
[3]
レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法[ja] [P]. 
KOBAYASHI NAOKI ;
IWAMORI SHOHEI ;
KOORI DAISUKE ;
SATO HIRONORI .
日本专利 :JP2024174743A ,2024-12-17
[4]
レジスト下層膜を適用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015030060A1 ,2017-03-02
[5]
レジスト組成物及びレジストパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015137485A1 ,2017-04-06
[6]
レジスト組成物及びパターン形成方法[ja] [P]. 
OHASHI MASAKI ;
KATAYAMA KAZUHIRO ;
YAMAHIRA TATSUYA ;
OTOMO YUTARO ;
OYAMA KOSUKE .
日本专利 :JP2024077641A ,2024-06-10
[7]
ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004059392A1 ,2006-04-27
[8]
重合体、ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019181582A1 ,2021-04-01
[9]
フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012111450A1 ,2014-07-03
[10]
パターン形成用組成物及びパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018008481A1 ,2019-04-25
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