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レジスト組成物及びパターン形成方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220189708
申请日
:
2022-11-29
公开(公告)号
:
JP2024077641A
公开(公告)日
:
2024-06-10
发明(设计)人
:
OHASHI MASAKI
KATAYAMA KAZUHIRO
YAMAHIRA TATSUYA
OTOMO YUTARO
OYAMA KOSUKE
申请人
:
SHIN ETSU CHEM CO LTD
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G03F7/004
IPC分类号
:
C07D307/00
C07D333/76
C08F246/00
G03F7/039
G03F7/20
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
レジスト組成物及びレジストパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015137485A1
,2017-04-06
[2]
フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012111450A1
,2014-07-03
[3]
重合体、ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019181582A1
,2021-04-01
[4]
ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004059392A1
,2006-04-27
[5]
ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004077158A1
,2006-06-08
[6]
レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法[ja]
[P].
KOBAYASHI NAOKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
KOBAYASHI NAOKI
;
IWAMORI SHOHEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
IWAMORI SHOHEI
;
KOORI DAISUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
KOORI DAISUKE
;
SATO HIRONORI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
SATO HIRONORI
.
日本专利
:JP2024174743A
,2024-12-17
[7]
感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018190088A1
,2020-02-20
[8]
レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja]
[P].
ISHIWATA KENTA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
ISHIWATA KENTA
;
KOORI DAISUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
KOORI DAISUKE
;
YANO TOSHIHARU
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
YANO TOSHIHARU
;
KOBAYASHI NAOKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
KOBAYASHI NAOKI
;
ARAIDA KEISUKE
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
ARAIDA KEISUKE
.
日本专利
:JP2025009348A
,2025-01-20
[9]
パターン形成用組成物及びパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018008481A1
,2019-04-25
[10]
レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012049919A1
,2014-02-24
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