レジスト組成物及びパターン形成方法[ja]

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申请号
JP20220189708
申请日
2022-11-29
公开(公告)号
JP2024077641A
公开(公告)日
2024-06-10
发明(设计)人
OHASHI MASAKI KATAYAMA KAZUHIRO YAMAHIRA TATSUYA OTOMO YUTARO OYAMA KOSUKE
申请人
SHIN ETSU CHEM CO LTD
申请人地址
IPC主分类号
G03F7/004
IPC分类号
C07D307/00 C07D333/76 C08F246/00 G03F7/039 G03F7/20
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
レジスト組成物及びレジストパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015137485A1 ,2017-04-06
[2]
[6]
レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法[ja] [P]. 
KOBAYASHI NAOKI ;
IWAMORI SHOHEI ;
KOORI DAISUKE ;
SATO HIRONORI .
日本专利 :JP2024174743A ,2024-12-17
[7]
感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018190088A1 ,2020-02-20
[8]
レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法[ja] [P]. 
ISHIWATA KENTA ;
KOORI DAISUKE ;
YANO TOSHIHARU ;
KOBAYASHI NAOKI ;
ARAIDA KEISUKE .
日本专利 :JP2025009348A ,2025-01-20
[9]
パターン形成用組成物及びパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018008481A1 ,2019-04-25
[10]