学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种碳化硅晶片及高准确率的碳化硅晶片位错检测方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510213068.6
申请日：
2025-02-26
公开(公告)号：
CN119688427B
公开(公告)日：
2025-07-15
发明(设计)人：
高冰 丁幸
申请人：
浙江晶越半导体有限公司
申请人地址：
312400 浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号9号厂房二楼202室
IPC主分类号：
G01N1/34
IPC分类号：
G01N1/32 C30B33/10 C30B29/36
代理机构：
浙江金杜智源知识产权代理有限公司 33511
代理人：
葛天祥
法律状态：
公开
国省代码：
浙江省 绍兴市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-25 公开 公开
2025-04-11 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G01N 1/34申请日:20250226
2025-07-15 授权 授权
共 50 条
[1]
一种碳化硅晶片及高准确率的碳化硅晶片位错检测方法 [P]. 
高冰 ;
丁幸 .
中国专利 :CN119688427A ,2025-03-25
[2]
碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
朴钟辉 ;
沈钟珉 ;
梁殷寿 ;
李演湜 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04
[3]
碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
朴钟辉 ;
沈钟珉 ;
梁殷寿 ;
李演湜 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31
[4]
碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P]. 
林钦山 .
中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09
[5]
碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P]. 
堂本千秋 ;
正木克明 ;
柴田和也 ;
山口恵彥 ;
上山大辅 .
中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14
[6]
碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
朴钟辉 ;
甄明玉 ;
沈钟珉 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30
[7]
碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
朴钟辉 ;
甄明玉 ;
沈钟珉 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
中国专利 :CN112746324A ,2021-05-04
[8]
一种碳化硅晶片的位错识别方法及碳化硅晶片与应用 [P]. 
张九阳 ;
梁庆瑞 ;
李硕 ;
李霞 ;
杨晓俐 ;
王永方 ;
高超 .
中国专利 :CN112259451B ,2021-01-22
[9]
碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P]. 
上东秀幸 .
日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23
[10]
碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统 [P]. 
金政圭 ;
具甲烈 ;
徐正斗 ;
崔正宇 ;
朴钟辉 .
韩国专利 :CN114762995B ,2024-04-26
12345