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形成半导体器件的方法和半导体装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510130319.4
申请日：
2025-02-05
公开(公告)号：
CN120388883A
公开(公告)日：
2025-07-29
发明(设计)人：
刘俊佑
张晋豪
杨固峰
廖思雅
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H01L21/321
H01L23/373
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-29 | 公开 | 公开 |
| 2025-08-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250205 |