可提供低能注入离子的石墨烯处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310162842.6

申请日：

2023-02-24

公开(公告)号：

CN116110771B

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

王浩敏王祎博王慧山姜程鑫王伟

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所江苏云涌电子科技股份有限公司

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

C23C14/48 C23C14/56 C23C14/50 C01B32/194 H01J37/18 H01J37/20

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

卢炳琼

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	授权	授权

共 50 条

[1]

基于低能量离子注入调控石墨烯纳米带结构的方法 [P].

杨雪晴 ;

赵之文 ;

赵浩宇 ;

张纪元 ;

李春晓 ;

周昱晨 ;

巩凤凡 ;

刘志浩 ;

詹高磊 .

中国专利 :CN121005395A ,2025-11-25

[2]

等离子体浸没注入改性石墨烯的方法及其应用 [P].

李勇 ;

王莹 ;

朱靖 ;

段超男 ;

易鹏 .

中国专利 :CN109592675A ,2019-04-09

[3]

石墨烯处理装置以及处理方法 [P].

秦广奎 ;

邸云萍 ;

石岳 .

中国专利 :CN104556025A ,2015-04-29

[4]

可提供吹扫气体的晶圆处理装置 [P].

谭华强 .

中国专利 :CN113838770B ,2025-06-13

[5]

可提供吹扫气体的晶圆处理装置 [P].

谭华强 .

中国专利 :CN113838770A ,2021-12-24

[6]

基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法 [P].

狄增峰 ;

王刚 ;

张苗 ;

陈达 ;

叶林 ;

郭庆磊 ;

丁古巧 ;

谢晓明 .

中国专利 :CN103247520A ,2013-08-14

[7]

一种离子注入制备氮掺杂石墨烯的方法 [P].

赵子强 ;

赵云彪 ;

付恩刚 ;

王绪 ;

韩冬 .

中国专利 :CN108364856A ,2018-08-03

[8]

一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法 [P].

张苗 ;

高敏 ;

韩晓雯 ;

贾鹏飞 ;

薛忠营 ;

狄增峰 .

中国专利 :CN108862252A ,2018-11-23

[9]

一种离子注入辅助制备石墨烯玻璃的方法以及一种石墨烯玻璃 [P].

赵子强 ;

赵云彪 ;

李越 .

中国专利 :CN110550869B ,2019-12-10

[10]

一种石墨烯表面处理装置 [P].

赵天宝 ;

谢剑 ;

杨志 ;

陈宝书 ;

毛良冬 .

中国专利 :CN211226349U ,2020-08-11

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